Память стандарта phase change memory (PCM)

Принцип действия энергонезависимой памяти стандарта phase change memory (PCM) основан  на основе эффекта обратимой смены фазового состояния вещества. Под действием тока вещество в ячейке меняет состояние на аморфное, что соответствует записи "0". Меньшие токи возвращают ячейку в токопроводящее кристаллическое состояние – такое состояние соответствут логической единице. Совсем малые токи позволяют определить фазовое состояние материала – так обеспечивается чтение данных.

Прототип первого энергонезависимого накопителя с шиной PCI Express на основе памяти PCM был показан на мероприятии Non-Volatile Memory Workshop 2014. Пока прототип выглядит слишком большим – пока конструкторам не удалось обеспечить компактность получаемых устройств.

Зато полученные результаты тестирования скоростей доступа и долговечности ячеек памяти показывают феноменальные результаты.Научные партнёры компании IBM из греческого университета в городе Патры выяснили, что по скорости обращения к данным корпоративные SSD отстают от PCM-накопителей в 12 раз, а клиентские SSD оказываются медленнее в 275 раз. А ведь есть ещё беспрецедентная устойчивость к износу, которой не могут похвастаться накопители на основе NAND. Так, среднестатистическая ячейка PCM выдерживает до 10 млн. перезаписей. Если при этом использовать механизму коррекции ошибок, то устойчивость к износу можно довести до 10 трлн. операций стирания. Из других практических результатов специалисты выяснили, что выпущенная в рамках 90-нм техпроцесса PCM-память IBM на частоте 66 МГц записывает "0" за 70 нс, а "1" — за 120 нс. По своим скоростным характеристикам память PCM приближается к возможностям обычной оперативной DRAM-памяти, но при этом она не теряет данные в момент отключения питания.

Ввиду малой ёмкости современных микросхем PCM считается, что вначале они послужат основой для создания энергонезависимых кэш-буферов в составе SSD. Но, несомненно, когда-нибудь появятся  и коммерческие накопители, полностью основанные на PCM-микросхемах.